半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造過(guò)程主要包括前道晶圓制造和后道封裝測(cè)試，隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的浸透，呈現(xiàn)了介于晶圓制造和封裝之間的加工環(huán)節(jié)，稱為中道）。半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工工序多，在制造過(guò)程中需求大量的半導(dǎo)體設(shè)備。在這里，我們引見(jiàn)傳統(tǒng)封裝（后道）的八道工藝。

傳統(tǒng)封裝工藝大致能夠分為反面減薄、晶圓切割、晶圓貼裝、引線鍵合、塑封、激光打印、切筋成型和廢品測(cè)試等8個(gè)主要步驟。與IC晶圓制造（前道）相比，后道封裝相對(duì)簡(jiǎn)單，技術(shù)難度較低，對(duì)工藝環(huán)境、設(shè)備和資料的請(qǐng)求遠(yuǎn)低于晶圓制造。

反面減薄

由于制造工藝的請(qǐng)求，對(duì)晶片的尺寸精度、幾何精度、外表干凈度等都提出很高的請(qǐng)求，因而在幾百道工藝流程中只能采用一定厚度的晶片在工藝過(guò)程中傳送、流片。通常在集成電路封裝前，需求對(duì)晶圓反面多余的基體資料去除一定的厚度，這一過(guò)程稱之為晶圓反面減薄工藝，對(duì)應(yīng)配備是晶圓減薄機(jī)。

晶圓切割

依據(jù)晶圓工藝制程及客戶的產(chǎn)品需求，一片晶圓通常由幾百至數(shù)萬(wàn)顆小芯片組成，業(yè)內(nèi)大局部晶圓上的Dice之間有著40um-100um不等的間隙辨別，此間隙被稱為劃片街區(qū)（切割道)。而圓片上99%的芯片都具有獨(dú)立的性能模塊（1%為邊緣Dice，不具備運(yùn)用性能），為將小芯片別離成單顆Dice,就需采用切割的工藝停止切割別離，此工藝過(guò)程叫做晶圓切割。

晶圓貼裝

晶圓貼裝的目的將切割好的晶圓顆粒用銀膏粘貼在引線框架的晶圓廟上，用粘合劑將已切下來(lái)的芯片貼裝到引線框架的中間燥盤上。通常是環(huán)氧（或聚酰亞胺）用作為填充物以增加粘合劑的導(dǎo)熱性。

引線鍵合

引線鍵合的目的是將晶圓上的鍵合壓點(diǎn)用極細(xì)的金線銜接到引線框架上的內(nèi)引腳上，使得晶圓的電路銜接到引腳。通常運(yùn)用金線的一端燒成小球，再將小球鍵合在第一焊點(diǎn)。然后依照設(shè)置好的程序拉金線，將金線鍵合在第二焊點(diǎn)上。

塑封

將完成引線鍵合的芯片與引線框架置于模腔中，再注入塑封化合物環(huán)氧樹(shù)脂用于包裹住晶圓和引線框架上的金線。這是為了維護(hù)晶圓元件和金線。塑封的過(guò)程分為加熱注塑、成型兩個(gè)階段。塑封的目的主要是：維護(hù)元件不受損壞；避免氣體氧化內(nèi)部芯片；保證產(chǎn)品運(yùn)用平安和穩(wěn)定。

激光打印

激光打印是用激光射線的方式在塑封膠外表打印標(biāo)識(shí)和數(shù)碼。包括制造商的信息，器件代碼，封裝日期，能夠作為辨認(rèn)和可追溯性。

切筋成型

將原來(lái)銜接在一同的引線框架外管腳切斷別離，并將其彎曲成設(shè)計(jì)的外形，但不能毀壞環(huán)氧樹(shù)脂密封狀態(tài)，并防止引腳扭曲變形，將切割好的產(chǎn)品裝入料管或托盤便于轉(zhuǎn)運(yùn)。

廢品測(cè)試

檢測(cè)產(chǎn)品的外觀能否能契合設(shè)計(jì)和規(guī)范。常見(jiàn)的的測(cè)試項(xiàng)目包括：引腳平整性、共面性，引腳間的腳距，塑封體能否損傷、電性能及其它功用測(cè)試等。